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三星（サムスン）電子が第５世代（５Ｇ）モバイル通信用半導体ファウンドリー（委託生産）の技術力をさらに引き上げる次世代工程技術を開発した。三星電子は９日、次世代「８ナノＲＦ工程技術」の開発に成功したと発表した。三星電子は、８ナノＲＦファウンドリで、５Ｇ通信の半導体市場を積極的に攻略する計画だ。

三星電子の８ナノＲＦ工程は、従来の１４ナノ工程に比べてＲＦチップの面積を約３５％減らすことができるという強みを持つ。電力効率も約３５％高まる。半導体業界では、８ナノＲＦ工程技術で生産されたＲＦチップが、早ければ今年下半期（７〜１２月）に発売される５Ｇフラッグシップ・スマートフォンに搭載される見通しだ。　ＲＦチップとは、モデムチップから出るデジタル信号をアナログに変換して無線周波数に変え、逆にモデムチップに伝送する「無線周波数送受信半導体」だ。周波数帯域の変更、デジタル－アナログ信号の変換を行うロジック回路領域と、周波数受信・増幅の役割を果たすアナログ回路領域で構成される。

半導体業界の関係者は、「半導体工程が微細化するほど、ロジック回路領域の性能は高くなるが、アナログ領域での狭い線幅のため抵抗が増加し、消費電力が多くなる問題があった」とし、「三星電子は、少ない電力を使用しながらも信号を大きく増幅できるＲＦ専用半導体素子を開発して、８ナノＲＦ工程に採用した」と語った。

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今回の８ナノＲＦ工程技術の開発で、三星電子は世界のファウンドリー市場で技術力を改めて立証することになったと評価されている。特に、台湾ＴＳＭＣと最先端微細工程の主導権を巡り、激しい競争を繰り広げている状況で得られた成果であり、さらに意味が大きい。三星電子は２０１７年から現在まで、プレミアムスマートフォンを中心に、５億個以上のモバイルＲＦチップを出荷し、市場の主導権を維持している。

三星電子ファウンドリー事業部技術開発室のイ・ヒョンジン・マスターは、「工程微細化とＲＦ性能向上を同時に実現した三星電子の８ナノ基盤ＲＦパウンドリーは、小型低電力高品質通信の長所を備え、顧客に最適のソリューションを提供できる」とし、「最先端ＲＦファウンドリーの競争力を基に、５Ｇをはじめとする次世代無線通信市場に積極的に対応していきたい」と語った。
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サムスンは2017年以降、累計で5億個を超えるRFチップを出荷している。既存の28nm世代、14nm世代のRFプロセス技術に続く、最新のRF用プロセスとなる。8nm RFでは、「RFextremeFET（RFeFET）」という専用アーキテクチャを新たに開発。これにより、消費電力を抑えつつRF特性を大幅に向上したとする。14nm RFに比べ、電力効率が最大35％向上し、RFチップの面積を最大35％削減できるという。　サムスンはリリースで、「当社のプロセス最適化は、寄生容量を最小限に抑えつつ、チャネル移動度を最大化する。RFeFETの性能が大幅に向上することで、RFチップのトランジスタ数と、アナログ／RFブロックの面積を削減することが可能だ」と述べている。　



一方で今年５月、5G通信向けのRF（無線周波）チップを開発する「地芯科技（Geo chip）」がシリーズAで1億元（約17億円）近くを調達した。リード・インベスターは「China Lite Capital」、コ・インベスターは中国の半導体メーカーの「瑞芯微電子」と「岩木草投資」だ。「青桐資本」が財務アドバイザーを務めた。共同創業者の呉瑞礫氏によると、調達した資金は開発、販売、アフターサービス、運転資金などに充てられるという。

フランスの調査会社「Yole」の試算によると、全世界のRFフロントエンドICの市場は2023年に350億ドル（約3兆8000億円）に達するという。中国国内の場合、現時点でシェアの90%を海外メーカー、特に米国メーカーが占めており、サプライチェーンの安全性に懸念が持たれている。そのため、国産品の採用を増やす動きが顕著であり、RFフロントエンドICを開発するメーカーが相次いで登場した。

地芯科技もこのような背景の中で誕生した企業だが、他社がスマホ向けの開発を中心とするのと異なり、ブルートゥーススピーカー、ルーター、ゲートウェイ、リモコンおもちゃ、プライベートネットワーク通信など、より専門性の高い分野を中心とする。そのことにより製品の差別化を図り、迅速なシェア拡大を目指している。

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