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米国政府が早ければ７日（現地時間）、中国の先端半導体を生産した必要な装備輸出を制限する措置を発表するとロイター通信が６日、報じた。

米商務省は米国半導体装備企業が中国半導体企業に先端装備を販売する場合、厳しい制限を設ける措置を用意した。事実上、中国へ渡らないようにする輸出統制措置だ。ただ、サムスン電子・ＳＫハイニックスなど中国にある韓国半導体企業に対しては別途審査を行うため直接的な被害はないだろうとロイターは伝えた。当初、米国の輸出規制はシステム（非メモリー）半導体分野に限定されることが予想されたが、ＤＲＡＭとＮＡＮＤ型フラッシュメモリー関連の装備にまで広範囲な統制措置が取られる展望だ。

ロイターによると、米国の新規輸出統制は１８ナノメートル（１０億分の１メートル）以下のＤＲＡＭ、１２８層以上のＮＡＮＤフラッシュ、１４ナノメートル以下のロジックチップを生産する中国半導体企業に先端技術を販売しようとする米国企業が別途認可を受けるようにする内容を含んでいる。しかし、認可基準が非常に厳しいため事実上禁止に近いことが伝えられた。

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これに伴い、長江メモリ（ＹＭＴＣ、長江存儲科技）、長シン存儲技術（ＣＸＭＴ）など、中国半導体企業は打撃が大きいものとみられる。在ワシントン中国大使館は今回の措置に対して「科学技術覇権」としながら「（米国が）新興市場と開発途上国の発展を阻害して抑制しようとするもの」と非難した。ロイターは中国でメモリー半導体を生産する外国企業に対する輸出は案件別に別途審査を経る予定で、これは認可の可能性が高いと伝えた。ある関係者は「目標は中国企業ではない他の企業に被害を与えないだろう」と伝えた。
https://japanese.joins.com/JArticle/296359?servcode=A00§code=A20



米商務省が米半導体製造装置企業向けに今週発表を計画している中国半導体企業への製造装置輸出制限で、中国企業に輸出するライセンス供与は暫定的に抑制される一方、中国で半導体を生産する韓国などの外国企業への輸出の場合は、「ケースバイケース」でライセンスが審査される。

だが長江メモリー・テクノロジー（ＹＭＴＣ）や長鑫存儲技術（ＣＸＭＴ）などの中国企業による一定以上の高さ性能の改善（記憶保持動作が必要な随時書き込みメモリ）やデータ保存などのＮＡＮＤ型フラッシュメモリの製造向けの場合は、米国の半導体製造装置の輸出申請は事実上通らない可能性が高いとしている。

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