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SKハイニックスは8日、世界最速のサーバー用DRAMを開発したと発表した。主にビッグテック企業のデータセンター向けに使われるメモリー半導体で、動作速度が毎秒8ギガビットを超え、従来のDRAMより80％向上した。DRAMの最新規格である「DDR5」の製品だ。

これまで半導体企業はDRAM本体の速度向上に力を入れてきたが、SKハイニックスは発想を転換し、複数のDRAMをモジュール化する方法を選んだ。DRAMモジュールは通常一度に64バイトのデータをCPU（中央演算処理装置）に送るが、新製品は一度に128バイトを送ることができる。

こうした技術進歩は、SKハイニックスが米インテル、日本のルネサスエレクトロニクスと協力した結果だ。SKハイニックスはモジュール設計を担当し、モジュールからの信号をルネサスのバッファと呼ばれる部品が中間で伝送し、インテルのCPUがそれを処理することで、世界最速を実現した。SKハイニックスのリュ·ソンス副社長は「顧客の需要に合わせ、量産を開始する」と述べた。
https://www.chosunonline.com/site/data/html_dir/2022/12/09/2022120980002.html

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SKハイニックスは新概念を導入した世界最速サーバー用Dラム製品「DDR5 MCR DIMM」のサンプル開発に世界で初めて成功した。今回の製品は動作速度が1秒当たり8Gb(ギガビット)以上で、1秒当たり4.8Gbのサーバー用DDR5より速度が80%以上速くなった。 SKハイニックスの技術陣は、MCR DIMMに搭載したデータバッファー(Buffer)を使って、DRAMモジュールの基本動作単位であるランク2つが同時作動するように設計した。 バッファーとは、DRAMモジュールの上に一緒に搭載され、DRAMとCPU間の信号伝達性能を最適化する部品で、高性能と安定性が要求されるサーバー用DRAMモジュールに主に搭載される。



通常のDRAMモジュールでは、1つのランクで一度に64バイト（Byte）のデータがCPU（中央情報処理装置）に送信されるが、MCR DIMMでは2つのランクが同時動作して128バイトがCPUに送信される。SKハイニックスは今回の製品開発に成功するのに、米国インテル(Intel)、日本ルネサス(Renesas)とのグローバル協業が功を奏したと強調した。 3社は製品が出て、世界最高速度と性能が検証されるまで緊密に協業してきた。データバッファーはモジュールから送る多数の信号を中間で伝送し、サーバーCPUはデータバッファーを経てくる信号を受け入れて処理する役割を果たす。

一方、SKハイニックスは今後、高性能コンピューティング市場でMCR DIMMの需要が大幅に増えるものと判断した。これに対し、顧客の需要が本格化する時点に合わせて製品を量産する計画だ。

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