韓国経済News

半導体分野に韓国内業者の攻撃的投資が続いている。特に急激な成長を見せるＮＡＮＤフラッシュ（保存用メモリー）に投資が集中している。輸出不振で憂鬱な韓国経済に半導体がそれなりに持ちこたえているのだ。

ＳＫハイニックスは忠清北道清州（チュンチョンブクド・チョンジュ）に２兆２０００億ウォン（約２１４７億２０００万円）をかけてＮＡＮＤフラッシュ工場を作ると２２日に発表した。すでにＮＡＮＤフラッシュを生産している清州第１工場と第３工場の向かいの２３万９０００平方メートルの敷地に新しい工場を作る。情報技術（ＩＴ）業界によるとサムスン電子も昨年５月から作っている京畿道平沢（キョンギド・ピョンテク）の新しい半導体工場でＮＡＮＤフラッシュを生産することに決め、関連設備を構築中だ。全１５兆６０００億ウォンが投入されたこの工場は来年上半期に稼動が始まる。

今年下半期から好況に転じたメモリー半導体は韓国の輸出の高収益製品だ。今月に入り２０日までの韓国の輸出実績が昨年同期より１１％上がったのは半導体輸出実績が１９％も跳ねたおかげだ。全体の輸出で半導体が占める比重も２０１１年９％から今年１２．６％（今月２０日まで）に上がった。メモリー半導体のうちでも成長の可能性が高く、「新たな金鉱」と呼ばれる製品がＮＡＮＤフラッシュだ。

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メモリー半導体は大きくデータを処理するＤＲＡＭとデータを保存するＮＡＮＤフラッシュに分かれる。ＤＲＡＭ市場はすでにサムスン電子とＳＫハイニックスが７０％以上を占有している。韓国が「メモリー半導体強国」と呼ばれる理由だ。

ＮＡＮＤフラッシュ市場はまだパイを増やす余地が多い。サムスン電子が独歩的な市場占有率（今年４－６月期基準３４．９％）を誇っているが、ＳＫハイニックスは世界５位だ。ＤＲＡＭに集中するのにＮＡＮＤフラッシュ投資の適正な時期を逃したためだ。需要は爆発的に増加している。スマートフォンに搭載される保存装置、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に代わるＰＣ保存装置のソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）、企業用サーバーなどにいずれもＮＡＮＤフラッシュが使われる。市場調査機関ＩＨＳテクノロジーは昨年８２２億ギガバイト（ＧＢ）だったＮＡＮＤフラッシュ需要が２０２０年には５０８４億ＧＢで年平均４４％成長するものと予測した。
http://japanese.joins.com/article/865/223865.html?servcode=300§code=320

【管理人 補足記事＆コメント】
東芝は２７日、単位面積当たりの容量を従来の１・４倍に高めた３次元（３Ｄ）構造ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー（写真）を開発したと発表した。記憶素子の積層数は６４で、容量は３２ギガバイト（ギガは１０億）。サンプル出荷を始めており、２０１７年前半に量産を始める。データセンター（ＤＣ）向けのソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）やスマートフォン、メモリーカードなどを中心に提供する。今後は容量を６４ギガバイトまで高める計画だ。

東芝と提携する米ウエスタンデジタルも６４層の３Ｄ構造ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの生産を始めたと発表した。１０―１１月に市販向け製品を量産し、出荷を始める。またＯＥＭ（相手先ブランド）生産向けは９月までにサンプル出荷を開始し、１７年前半に量産体制を整える。　６４層の３Ｄ構造ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは、東芝四日市工場（三重県四日市市）の新第２製造棟で生産する。同製造棟は７月に全面稼働した。

サムスンが先行しているとはいえ、２年前は製造装置の能力が不足し、サムスンも設備をフル活用しても良品を製造できない壁に直面した事で、それを超えるのに時間がかかっていた。現在は装置が進歩し生産面はクリアしている。ただし不具合への対応力が劣るが道筋は見えている。東芝は丸々２年遅れとは考えていないとしたうえで、感覚としては半年くらいの遅れと話すのが、成毛康雄副社長の話だ。

中国スマホの大容量化がしばらく続き、需給バランスは改善されるだろう。一方リスクは為替と競合の増産だ。積極的にシェアを取りに行く訳ではないが、シェアを落としてはいけないと強烈に感じている。競合の増産状況や市況リスクを見極めて投資を決めるとしている。分社化はいざという時の選択肢の一つとして否定はしないが、具体的な検討はない。ＮＡＮＤ事業を単独で見てどうあるべきか、が判断ポイントだという。

ウェスタン・デジタルやサンディスクは、ReRAMを推進したいのか？　それは、ReRAMが、「SCM」（ストレージクラスメモリ）という新市場を生み出す可能性があるからである。現在、コンピュータに使われているメモリは階層構造を形成している。
・CPUのレジスタやキャッシュメモリに使われるSRAM
・メインメモリとして用いられるDRAM
・ストレージに利用されるNANDフラッシュメモリやHDD

ところが、DRAMとNANDフラッシュメモリのアクセス時間には最大6桁も差があり、データ処理のボトルネックになっている。特にビッグデータの普及に伴って、データ量の飛躍的な増大とともに、そのアクセス時間は増大しており、この解決が望まれている。そこでDRAMとNANDフラッシュメモリの間に、性能差を埋める新型メモリを導入しようというのが、SCMの考え方である。このSCMに、ウェスタン・デジタルやサンディスクはReRAMを適用しようと考えているというのが専門家の意見だ。

サンディスクを買収したウェスタン・デジタルはReRAMで、またインテルとマイクロンは3D Xpointで、新たに誕生するSCM市場の制覇を狙っている。この部分における半導体産業にはまだ革新的な方法はあるわけで、どの企業が飛び出すのかは今後の技術力にかかっている。

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