世界初、64層の3次元NANDフラッシュをサンプル出荷　東芝

東芝は7月27日、3次元NANDフラッシュメモリ「BiCS FLASH」の64層積層プロセスを開発し、世界で初めてサンプル出荷を始めたと発表した。1セル当たり3ビット記録でき、メモリ1個当たりの容量は256Gbit（32GB）。来年前半に量産を始める。

データセンター向けやPC向けSSD、スマートフォン、タブレット、メモリカードなどを中心に展開。今後、容量512Gbit（64GB）版の製品化も計画する。

新製品は、48層積層プロセスの従来品と比べて単位面積当たりのメモリ容量を約1.4倍に大容量化。回路技術やプロセスを最適化することでチップサイズを小型化し、1枚のシリコンウェハーから生産されるメモリ容量を拡大するとともに、ビットあたりのコストを削減したという。

3次元NANDフラッシュメモリは、シリコン平面から垂直方向にメモリ素子を積み上げたもの。メモリ素子を平面上に並べた従来のNANDフラッシュメモリと比べ、素子密度を大幅に向上させられる。
http://www.itmedia.co.jp/news/articles/1607/28/news081.html

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【管理人補足記事＆コメント】
東芝は2016年7月26日、64層の3次元構造のNAND型フラッシュメモリ（3D NAND）「BiCS FLASH」のサンプル出荷を「世界で初めて」開始すると発表した。東芝は、「データセンター向けエンタープライズSSDやPC向けSSD、スマートフォン、タブレット、メモリカードなどの市場のニーズに合わせて展開していく」と語る。

同製品は256Gビット 3ビットセルである。回路技術やプロセスを最適化することで、チップサイズを小型化し、48層のBiCS FLASHと比較して、単位面積当たりのメモリ容量を約1.4倍に大容量化。チップサイズの小型化により、1枚のシリコンウエハーから生産されるメモリ容量を増やし、ビットあたりのコスト削減も実現したという。NAND型フラッシュメモリの製造に関するパートナーであるウエスタンデジタルコーポレーションのリリースによると、まずは256Gビットの容量で展開し、今後チップ単体で0.5Tビットの製品まで提供予定とする。

東芝四日市工場でのNANDメモリ生産は、これまで工場建屋は東芝が単独投資するものの、建屋内の製造設備は、東芝とサンディスクが共同出資する形で実施してきた。2016年5月にサンディスクはウエスタンデジタルの完全子会社ウエスタンデジタルテクノロジーズに買収されたが、東芝との共同生産スキームは継続。N-Y2においても、共同で設備投資を実施する。

ウエスタンデジタルCEOのスティーブ・ミリガン氏は「両社は、半導体業界で最も成功したパートナーシップである。四日市工場の高い生産能力は、世界に誇るべきことである。今後も、高いコミットメントを図ることで、世界に勝てると考えている。そのため、当社も2018年までに約50億米ドル、3D NANDに投資する予定である」とした。つまり、両社は2018年までに約1.4兆円を3D NANDに投じることになる。

64層でも128層でも顧客から見れば何層でも関係が無いわけで、スマホのストレージなどで128ＧＢと256ＧＢのストレージが32ＧＢストレージ搭載スマホと同じ金額ならば、考えるだろう。ＰＣは充分である。スマホやタブレットの価格競争となるのでは…。問題はＣＰＵが持つのかと言うことに繋がるが…。。。結局不要なアプリをインストールするほどに遅くなるのは変わらないわけで…。。。